檢索結果：共32筆資料 檢索策略： "吳晉賢".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="快閃記憶體"
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近年來，NAND型快閃記憶體由於非揮發性、防震及低功耗的特性，廣泛地應用在嵌入式裝置、攜帶式裝置及高性能的儲存產品。但NAND型快閃記憶體的壽命一值是大家所關注的議題，尤其是NAND閃存的特點，在寫…
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容錯式磁碟陣列5普遍被使用於企業級的儲存系統，藉由儲存額外的校驗資訊以提昇資料的校正能力，並且在成本與效能之間取得一個平衡。然而當固態硬碟逐漸取代傳統硬碟的時代，採用固態硬碟的RAID-5儲存系統仍…
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近幾年來快閃記憶體(Flash memory)已被廣泛的應用在各種運算環境中，藉由快閃記憶體所組成的固態硬碟(SSD)也逐漸取代傳統硬碟(HDD)，成為運算系統中的主要儲存裝置。雖然使用更加微縮的製…
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Flash-based的儲存裝置由於存取速度(特別是隨機讀取)的速度比起傳統硬碟還要快上很多，其中由NAND flash組成的SSD近幾年來在很多應用領域都已經漸漸取代傳統機械式硬碟。SSD中扮演效…
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干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
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為了增加MLC flash memory的整體效能，會把SSD 中一部分的MLC block 轉換成pseudo SLC block，能讓這些block 能夠有一般SLC block的效能，因為此時…
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如今，3D TLC快閃記憶體以其高容量和低成本成為了主流存儲介質。 但是，3D TLC快閃記憶體存在一些可靠性問題，例如保留錯誤和讀取乾擾錯誤， 這些問題可能會隨著時間的推移而累積並超過ECC(糾錯…
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由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles，因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題，資料只能在有限的時間（即保留時間）或有限的讀取周期內安全地儲存。隨著資料的保留…